【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET/中電圧トレンチ/次世代技術の設計開発
群馬県 高崎市 / 想定年収 800〜950万円
- 仕事内容
- ルネサス エレクトロニクス株式会社が募集する「【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET/中電圧トレンチ/次世代技術の設計開発」は、技術職(機械・電気)領域のポジションです。 雇用形態は正社員、勤務地は群馬県 高崎市となります。 想定年収は800万円~950万円です。 目安として5年以上の実務経験が求められます。 募集背景や求められるスキルの詳細は、キャリビーのアドバイザー経由で確認できます。 (求人情報はHITO-Linkエージェント経由のdoda掲載データを基にキャリビーが独自に構成しています)

