ルネサス エレクトロニクス株式会社 【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET/中電圧トレンチ/次世代技術の設計開発技術職(機械・電気)の求人
技術職(機械・電気)の募集要項
| 職種 | 技術職(機械・電気)(デバイス開発(パワー半導体)) |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務地 | 群馬県 高崎市 |
| 想定年収 | 800〜950万円 |
| 必須経験 | 5年以上 |

技術職(機械・電気)の仕事内容
ルネサス エレクトロニクス株式会社が募集する「【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET/中電圧トレンチ/次世代技術の設計開発」は、技術職(機械・電気)領域のポジションです。
雇用形態は正社員、勤務地は群馬県 高崎市となります。
想定年収は800万円~950万円です。
目安として5年以上の実務経験が求められます。
募集背景や求められるスキルの詳細は、キャリビーのアドバイザー経由で確認できます。
(求人情報はHITO-Linkエージェント経由のdoda掲載データを基にキャリビーが独自に構成しています)
技術職(機械・電気)の具体的な業務内容
・高崎パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET/中電圧トレンチ/次世代技術の設計開発に関する業務全般
・技術職(機械・電気)領域における担当業務の遂行


